FePt薄膜相关论文
随着存储技术的不断进步,存储器件的尺寸显著减小。L10-FePt具有特别大的单轴磁晶各向异性能,用于存储信息,可以达到更高的存储面......
磁记录材料广泛用于计算机和电子设备中。随着电子产业的不断发展,单个记录位的面积越来越小,对磁记录材料面密度的要求也越来越高......
伴随着信息社会的飞速发展,人们需处理记录的信息量与日俱增,硬盘作为最主要的磁记录介质在其中发挥了重要作用,但随着记录密度的......
随着社会的不断发展进步，人们对大容量信息存储器的需求急剧增加。磁记录技术在信息存储领域中占有独特地位，目前磁记录材料的记录密......
制备了Ta/FePt/C系列多层膜,研究了样品在不同温度退火后的磁特性和微结构.实验结果表明,不同厚度的Ta缓冲层具有不同的微结构特征......
采用直流磁控溅射的方法在氧化镁(100)单晶基板上生长了一系列c轴垂直取向的FePt薄膜,通过改变沉积时的基板温度,薄膜从Fe,Pt原子......
用10相FePt作下底层,分别研究FePt(30nm,a)单层、10-FePt(30nm,a)/1-FePt(30nm)双层及10-FePt(30nm,a)/MgO(10nm)/1-FePt(30nm)三......
应用直流对靶磁控溅射法在玻璃基片上沉积了FePt/Tix（FePt）100-x薄膜，并在真空中进行原位退火．研究表明，衬底层Ti含量对FePt／Tix（FePt）100-......
L10有序FePt合金薄膜具有高磁晶各向异性能、高矫顽力、高磁能积、高居里温度和抗腐蚀能力强等优点，能够满足超高密度磁记录的要求，......
采用共溅射方法在玻璃基片上制备了(FePt)1-xCux合金薄膜,FePt合金中添加Cu可以有效降低退火温度,(FePt)1-xCux(x=19.5%)在350℃退......
用射频磁控溅射方法在玻璃基片上制备厚度为100 nm的Fe80Pt20薄膜,研究了退火对其结构和磁性的影响。随着退火温度的升高,观察到了......
采用直流磁控溅射技术在自然氧化的Si基片上生长厚度约为100nm的原始态FePt：Ag纳米复合薄膜,采用高压退火调控该薄膜的微结构和矫顽......
采用射频磁控溅射的方法，在玻璃基片上制备了不同Ag层厚度的[Ag／FePt 2nm]10多层薄膜，经550℃真空热处理后，得到L10有序结构的FePt薄膜......
Fe-Pt纳米微晶永磁薄膜材料由于在高密度磁记录材料领域、微电机械和医用器械领域具有良好的应用前景而受到广泛关注.本文简述了 F......
采用磁控溅射方法在自然氧化的单晶Si（100）基片上制备了FePtAg颗粒薄膜。通过调整靶材的溅射速率、控制掺杂Ag元素的含量，选择适当的......
采用直流磁控溅射方法在表面氧化的Si（001）基片上制备不同厚度的FePt薄膜,并利用原子力显微镜（AFM）、X射线衍射（XRD）和振动样品磁强计（VSM......
采用磁控溅射法在单晶Si(100)基片上制备了一系列FePt薄膜,研究了膜厚、退火温度和时间、Fe/Pt原子比对薄膜结构和磁性能的影响。......
热敏微胶囊制备过程中的低沸点溶剂用量对于微胶囊形貌和热响应特性的影响进行了研究，发现低沸点溶剂的用量不仅影响微胶囊的粒径大......
铁磁性金属纳米颗粒薄膜系统中存在的巨磁电阻效应、巨霍尔效应、高矫顽力效应等新特性,使其在磁性传感器件、高密度记录介质、读......
采用电化学沉积法制备FePt薄膜。将氯铂酸、氯化亚铁按一定比例混合成溶液100mL，调pH值为2．5，倒入三口烧瓶中，调节脉冲电源参数制备FeP......
采用磁控溅射方法在自然氧化的单晶Si（100）衬底上制备了双层结构的FePt-X／Ag（X-Ag或Pt）薄膜。以20nm厚的Ag做衬底，可以制备出易磁化轴垂......
用L10相FePt作下底层,分别研究FePt（30nm,Ta）单层、L10-FePt（30nm,Ta）/A1-FePt（30nm）双层及L10-FePt（30nm,Ta）/MgO（10nm）/A1-FePt（30nm）三层薄......
磁记录介质对目前的数据存储来说占重要地位。对更好的信息存储设备的需求在迅速增长,研究高记录密度、运行性能可靠的磁记录介质......
L10-FePt薄膜由于具有极高的单轴磁晶各向异性、高的饱和磁化强度以及良好的耐腐蚀性能,是目前热辅助垂直磁记录技术的首选材料。......
