宽禁带纳米半导体材料制备及其光学性能研究

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纳米TiO2材料由于其优良的光电等方面的性能,已被广泛地应用于光电转换、电致变色窗、太阳能电池、光催化等领域。ZnS是一种过渡金属硫化物,是一种重要的化工原料、发光材料和半导体材料,纳米ZnS因其特殊的性能,在发光、磷光体、传感器、红外窗材料、光催化等许多领域有着广泛的用途,因此关于纳米ZnS的研究引起了许多人的注意。而这些性能的优劣在很大程度上受到制备方法、后处理工艺等情况的影响,因此本文从制备工艺的角度出发探索不同条件所带来的性能变化。(1) TiO2纳米薄膜的制备及性能表征
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