SOI(Silicon on Insulator)技术是一种非常有潜力的新型硅技术,被誉为“21 世纪的硅技术”。它有着诸多的优点,如:提供良好的器件隔离、减少器件间的寄生效应,提高电路的工作速度,有很强的抗辐射能力,集成度高等。因此高压SOI SPIC(Smart Power IC)目前已经成为功率集成电路发展的新领域。本论文研究的基于SOI 上的高压开关集成电路,是国防科技重点实验室的基金项目。基于SOI 材料的特点,本论文主要研究在SOI 材料上集成高压功率开关电路,以及适合此集成电路的数模混合电路设计方法。同时,还研究了与这种电路设计相匹配的工艺流程,为工程上更好的实现这一混合电路提供了良好的技术平台。作者的主要工作是设计实现了SOI 基上带有D/A 驱动的高压LDMOS 功率开关电路。这种功率开关集成电路,利用了D/A 变换的灵活性,运用数字电路与高压模拟电路混合设计方法,实现了采用数字控制的耐压为300V的LDMOS 功率开关集成电路。该集成电路通过对数字输入端口的输入数据的调节,灵活的控制了高压开关集成电路输出信号的频率和脉宽。该新型高压功率集成电路芯片的实现,为SOI 高压功率开关集成电路提供了一种更为方便快捷的数字控制设计方法,同时也为功率系统集成电路提供了一种有效的实验验证,从而在工程上证实了功率系统集成的理论探索具有一定的可行性。也具有一定的实用价值。