随着电力电子技术的进步,传统封装形式已渐渐不能满足功率器件的性能需求。新型封装技术多在提高器件性能的同时不能兼顾工艺难度与生产成本,对其批量化生产造成阻碍。针对上述问题,本文基于面板级封装技术,提出一种混合式的功率器件集成封装工艺,设计流程方案与封装结构,使用有限元软件仿真分析封装结构的电、热、力性能,并通过实验分步验证工艺步骤,探究一种产品性能优且工艺难度低、成本低、可批量化生产的功率器件集成封装工艺。研究内容包含以下几个方面:（1）提出一种基于面板级封装技术的功率器件集成封装工艺,通过特殊塑封形成阶梯结构隔断功率芯片栅、源极,并在芯片源极表面开窗。针对功率芯片栅极小、源极大的特点,栅极采取引线键合,降低工艺难度;源极采取重布线层,降低寄生参数,提高散热能力。（2）以DrMOS为封装对象,在封装设计规范下,进行工艺流程与封装结构设计。工艺流程设计包括三种方案:方案一栅极引线键合、源极钻孔、覆铜;方案二栅极引线键合后去塑、覆铜,源极引线键合、覆铜;方案三栅、源极钻孔、光刻、覆铜。封装结构设计包括引线框架图纸、芯片焊接图纸、引线键合图纸、重布线层图案设计以及封装整体结构设计。（3）通过有限元软件相应计算模块对三种封装结构进行寄生参数提取、散热能力分析、热应力与翘曲验证。仿真结果表明:方案二栅极寄生参数最优,方案一、三源极寄生参数最优;方案三散热能力最优;方案一封装翘曲最优,三种方案均符合设计规范。综合比较工艺难度与结构性能,选定方案一为封装方案,结合相关研究成果,对影响结构性能的因素进行仿真分析。结果表明:在合理范围内,重布线层厚度对结构寄生电阻、封装翘曲影响较大,对寄生电感、结温影响很小。（4）在仿真分析工作的指导下,以现有设备及材料为基础,分步验证各个工艺步骤。实验包括芯片焊接工序、引线键合工序、塑封工序、重布线层工序以及切割工序。实验结果表明,各个工序步骤均完成预期目标,工艺具有可行性。本文研究了一种特殊塑封的混合式功率器件集成封装工艺,并结合仿真与实验对该工艺进行分析验证,对新型功率器件集成封装工艺的开发具有一定的指导意义。