随着科学技术发展,对材料性能的要求提高,SiC材料因其优异性能,被广泛关注。由于不断优化其制备技术而实现性能提升,碳化硅材料被广泛应用于陶瓷窑具、发动机、光学反射镜和高功率激光器等领域。SiC的共价键性强,大多数SiC陶瓷材料制备需高温烧结,制备成本高,限制其推广应用。反应烧结法制备SiC陶瓷材料可在较低温度下烧结,但部分游离硅会残留在SiC材料中,影响其高温性能。针对该问题,本文以不同粒度的SiC粉为主要原料,采用模压成型方式制备陶瓷生坯,研究不同热处理制度下,两步烧结法对反应烧结SiC陶瓷微观结构与性能的影响。研究不同烧结温度的两步烧结法对分别添加4wt%Al及4wt%Al4SiC4对SiC陶瓷微观结构与性能的影响,研究反应烧结SiC陶瓷热处理过程中晶粒生长过程及Al和Al4SiC4对反应烧结碳化硅的影响机理。（1）研究两步烧结法中不同渗硅时间及烧结温度的作用,经2h渗硅并于1650℃烧结后的SiC陶瓷材料表现出净尺寸变化,且Si的相对含量较低,材料获得良好骨架结构,体积密度较高,显气孔率较低,具有高常温耐压强度。（2）当加入4wt%Al作为添加剂时,液相Al增加体系中液相含量,加速反应烧结进程,并阻碍SiC晶粒的生长,SiC陶瓷于1600℃烧结温度下烧结完全,呈现微收缩,骨架结构良好。烧结温度至1700℃时,SiC陶瓷呈现出连续的骨架结构,致密度较高,具有较高的常温耐压强度,基质中反应生成的第二相Al4SiC4,有利于增强SiC陶瓷性能及改善微观形貌。（3）加入4wt%Al4SiC4作为添加剂,当烧结温度较低时,Al4SiC对反应烧结过程有一定的阻碍作用。烧结温度高于1650℃时,SiC陶瓷晶粒生长良好,呈现出连续骨架结构,常温耐压强度大幅提高,体积密度高。少量的Al4SiC4分解出的Al加速了反应烧结的进行,分解出的C能够消耗游离硅,反应生成细小的六边形SiC颗粒填充在基质中,有利于减少试样中多余的游离硅,从而提升材料强度。