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本文通过传统固相合成方法获得了铋层三层状化合物Bi4Ti3O12和二层状SrBi2Nb2O9系微波介质陶瓷,同时也对其进行了制备工艺的优化和离子掺杂的改性研究。本实验采用的测试手段主要有体积密度、XRD、SEM及网络分析仪等。本文研究了Ca2+离子掺杂的CaxBi4-xTi3O12-x/2(x=0.0、0.6、1.0、1.2和1.4)陶瓷的微观结构和微波介电性能。XRD结果表明,当x=1.4时,出现第二相,即陶瓷的固溶极限为x=1.2。随着Ca2+离子掺杂量的增加介电常数和Q×f值均是先增大后降低,当x=1.2时微波介电性能最好。系统地研究了Ca1.2Bi2.8Ti3O11.4微波介质陶瓷,主要探讨了合成温度、烧结温度及保温时间等工艺对其介电性能的影响,经过工艺优化的Ca1.2Bi2.8Ti3O11.4陶瓷在较低的烧结温度(1050℃)保温5 h下表现出较好的微波特性:εr=166,Q×f=704 GHz(at 3.2 GHz)。本文研究了Ca2+、Nb5+离子和Mg2+、Nb5+离子等量复合掺杂及外加Mn元素对Bi4Ti3O12陶瓷微观结构和介电性能的影响。经研究发现,对于复合取代来说,Ca2+、Nb5+离子对Bi3+、Ti4+的取代效果不如Mg2+、Nb5+离子对其的取代。在MgxBi4-xNbxTi3-x O12(x=0.0、0.1、0.2、0.3和0.4),当x=0.1时,在1100℃烧结温度下保温5 h下,Mg0.1Bi3.9Nb0.1Ti2.9O12的微波介电性能为:εr=113.57,Q×f=586GHz(at 3.95 GHz),比不掺杂的Bi4Ti3O12的Q×f值提高了接近一倍。通过外加Mn的条件可以有效改善Bi4Ti3O12陶瓷在1 MHz频率下的介电性能,但是并不会改善微波条件下Q×f值。本文研究了Ca2+离子掺杂的CaxSr1-xBi2Nb2O9(x=0.0、0.3、0.6和1.0)陶瓷的微观结构和微波介电性能。SEM结果表明,随掺杂量的增多,晶粒生长逐渐变大。当配方为CaBi2Nb2O9时,综合性能较好,在1050℃烧结温度下得到的微波性能为:εr=98,Q×f=672 GHz(at 2.92 GHz)。本实验还研究了外加Mn元素对CaBi2Nb2O9的影响,在1 MHz频率下,CaBi2Nb2O9-0.1wt%MnCO3在1050℃烧结温度下取得的介电性能为:εr=116.71,tanδ=3.48×10-3。