InN是一种具有超导特性的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料,将第三主族氮化物中的半导体与InN的超导特性结合并实现片上集成具有重要的应用前景。但是,InN材料在生长过程中容易出现相分离,形成In/In2O3的超导相,使得InN本征超导的研究进展缓慢。本文研究了InN的超导输运特性,主要研究成果如下:1.用盐酸腐蚀的方法去除了InN中的In/In2O3分离相,研究了InN在腐蚀前后超导转变温度和临界磁场的变化。结果表明在晶粒尺寸较小的样品中,盐酸腐蚀引起了超导转变温度和临界磁场的显著减小,而在大晶粒尺寸的样品中,盐酸腐蚀的影响较小。分析表明晶粒较小的InN样品中存在晶粒之间的弱耦合,In/In2O3可以通过超导临近效应增强InN晶粒之间的耦合强度。在变温变磁场条件下研究了InN的微分电阻特性,观察到InN在临界电流处存在微分电阻的峰,发现本征约瑟夫森模型可以解释峰值电流与温度以及磁场的关系,这进一步验证了我们提出的InN超导弱连接模型。2.研究了InN超导态的磁通钉扎特性。通过对超导转变过程中的I-V曲线进行标度,发现InN超导中存在涡旋液体态到涡旋玻璃态的相变。用热激活磁通蠕动模型分析了不同磁场下涡旋液体态的电阻-温度特性,发现在高磁场下磁通激活能急剧减小,表明InN超导中存在单磁通钉扎到集体钉扎的转变;在涡旋玻璃态,分析了临界电流与温度的关系,结果表明InN超导中主要的磁通钉扎机制是平均自由程涨落引起的。通过Dew-Hughes模型分析了钉扎力与磁场的关系,发现磁通钉扎的主要来源是InN中的点缺陷。3.研究了InN超导态的光响应特性,发现在0.8n W的可见光（波长为660nm）照射下InN的电阻率变化达到了200倍。在超导临界电流处,InN的电压响应率最高可达4.76 10 V/W,等效噪声功率NEP约为（?）,其灵敏度接近超导单光子探测的要求(超导单光子测试的光功率～1013W)。