GaN基发光二极管(LED)是发展固态照明、实现人类照明革命的关键性光源，具有广阔的应用前景。由于其衬底蓝宝石为绝缘体，以及结构上的原因，不可避免地存在电流的横向扩展，从而极易产生电流拥挤效应，导致器件散热不良、出光率低等问题。垂直结构的GaN基LED和传统结构LED相比，具有电流分布均匀、电流产生的热量小、电压降低、效率高等诸多优点。所以该结构被提出后，迅速受到研究人员的关注，并取得了一系列进展。但是和传统结构LED相比，垂直结构LED工艺难度比较大，存在许多挑战，特别是制作高反射率电极、台面刻蚀以及漏电流抑制。在本论文中，我们制作出了垂直结构LED的高反射率电极，同时研究了工艺中的关键技术，简化了工艺。具体的研究内容如下：　　 1．提出利用Ni/Ag/Ti/Au结构作为p-GaN电极和底部反射镜。通过研究Ni层厚度、退火温度以及退火时间对反射率的影响，制作出了具有高反射率的p型欧姆接触电极，在465nm波长处反射率达到94％，比接触电阻为7.0×10-3Ωcm2。　　 2．采用俄歇电子能谱(AES)测试了不同元素随深度分布情况，对Ni/Ag/Ti/Au高反射欧姆接触电极的形成机理进行了系统分析，阐明了各层金属的作用以及随实验条件的变化规律。　　 3．样品电镀后，利用能量密度640mJ/cm2的激光进行剥离，剥离后GaN表面平整，通过AFM观察到的表面均方根粗糙度为9.2nm。　　 4．利用区域化电镀，优化键合时粘结剂的厚度，成功实现了区域剥离，简化了制作工艺，制作出了垂直结构LED。