LED（Light Emitting Diode，发光二极管）凭借其寿命长、能耗少、光效高等优点正逐渐取代传统的照明光源，越来越广泛的应用于照明领域中。LED灯取代白炽灯和荧光灯，关键在于提高发光效率和降低成本。而外延技术提升是促进LED照明应用光效提高和成本下降的关键，这推动了高光效LED外延的研究。本课题利用现阶段几项主流的LED外延生长的关键技术，对高光效GaN基LED外延生长技术进行了探究与讨论。量子阱作为LED器件中电子和空穴复合产生光子的部位，对其组分、厚度、结构等方面的调节是提高LED发光效率最直接且最有效的手段。为了提高量子阱中空穴与电子的辐射复合效率，通过改善生长工艺等技术，在InGaN/GaN量子阱结构的LED基础上，调整了量子阱中势垒中Ga的含量以及阱中In的含量，使得其光效相对于现有工艺的LED分别提高3.3%和5.1%。针对由于空穴的浓度低及有效质量较大导致空穴注入效率降低的问题，基于现有工艺的LED结构，在最后一层势垒（QB）与p-AlGaN电子阻挡层（EBL）之间生长了一层LT-HIL结构，也即是一层低温p型GaN层（LT-p-GaN）。其发光效率比传统结构LED提升了13.8%，且正向电压略低于传统结构LED。当生长LT-HIL结构所通的Cp2Mg的流量为400sccm，晶体质量良好且表面形貌平整。