氧化铟（In2O3）作为一种宽带隙的n型半导体,具有适合光催化CO2还原的能带结构、独特的化学稳定性和较高的CO2吸附能力。因此,在光催化CO2还原方面有良好的应用前景。尽管如此,传统的In2O3材料在作为光催化剂时依然存在选择性差、反应活性低、光吸收性差、电荷分离效率低等缺点。严重限制了In2O3光催化剂的大规模应用。针对In2O3光催化剂所存在的问题,本研究通过将引入氧空位与异质结结构构筑、助催化剂修饰和形貌控制相结合的方法对In2O3进行了改性,提高了材料的可见光利用率、CO2吸附能力、光生电荷分离传输效率,进而显著提高了催化剂的光催化CO2还原的活性和选择性。主要研究内容如下:（1）制备了硫掺杂碳包覆的In2O3-CeO2空心六棱柱催化剂。通过在煅烧时硫粉的引入调节了S-C/In2O3-CeO2样品中的氧空位浓度。由于异质结的形成、硫掺杂、引入氧空位以及碳包覆层的形成促进了光催化剂的电荷载流子的有效分离、光吸收性和CO2吸附性在这些因素的协同作用下实现光催化剂的高效气相光催化CO2还原生成CH4活性产率60.6μmol g-1h-1和选择性92.4%。（2）设计并制备了富含氧空位的In2O3-SnS2异质结光催化剂（VO-In2O3-SnS2）。氧空位的引入和独特的2D-2D异质结结构的形成提高了材料的光吸收性和光生电荷转移分离效率。并研究了SnS2负载量对于催化剂光催化剂性能的影响。当SnS2负载量为10%时,VO-In2O3-SnS2的光催化CO2还原生成CO的活性和选择性最高。其光催化CO2还原生成CO的产率达到85.19μmol g-1h-1和选择性78%。（3）通过两步热解Co-In-ZMOF前躯体合成了氮掺杂富含氧空位的Co3O4助催化剂修饰的N-In2O3-Co3O4样品。合成的N-In2O3-Co3O4具有独特的中空多孔十二面体形貌。N掺杂、丰富的表面氧空位以及适量的助催化剂修饰,加速了催化剂的电荷转移速率、增加了材料的光吸收性、提高了催化剂的反应选择性。显著的提高了N-In2O3-Co3O4光催化CO2还原活性,其CO产率是纯In2O3的4倍。