提高TVS器件浪涌能力的数值分析和特性研究

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该论文主要作了三个部分的工作:(1)对TVS器件特性、参数进行数值分析;(2)利用 新工艺试制了样品,测试了其伏安特性;(3)结合数值分析和实验测测试结果对TVS器件的浪涌能力进行了分析.该文介绍了半导体器件数值分析的基本概念,从原始方程导出分立形式半导体器件模型所用的基本方程:连续性方程、泊松方程和电子、空穴的电流输运方程.文中详细叙述了用于TVS的这些基本器件方程的数学处理过程.根据一维模型,给出了程序设 计流程图并编写了基于牛顿迭代方法的计算机程序对TVS器件的伏安特性进行了模拟.模拟 结果指出TVS器件主要参数如维持电流、正向压降等受到基区宽度和载流子寿命的强烈影响 .利用新的工艺条件试制了两批样品,并测试了其伏安特性.从测试结果得出TVS器件具有 保护电压稳定、维持电流高、导通电压低、浪涌能力强和重复性好等优点.综合数值分析和实验测试结果,该文对TVS器件的浪涌特性进行了深入研究,提出了必须采取减小开通过程 民能量损耗以保护器件不会被损坏,减小导通态能量损耗以增加浪涌能力,加强散热等措施.为了进一步提高TVS器件浪涌保护能力,该文建议采取多元胞结构来实现这一目的.
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