【摘 要】
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Si纳米线作为一种新型的一维纳米材料,其光致发光(PL)特性使得它在Si基光电子器件领域中具有潜在的应用价值。本实验基于固-液-固(SLS)生长机制,利用高温退火方法和以Au作金属催化剂,在n-(111)单晶Si、多晶Si以及石英衬底上直接生长出了具有一定直径分布、长度可达数微米到数十微米的Si纳米线。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能量损失谱(EDS)对样品的表面形貌、化学组分进行了结构表征
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Si纳米线作为一种新型的一维纳米材料,其光致发光(PL)特性使得它在Si基光电子器件领域中具有潜在的应用价值。本实验基于固-液-固(SLS)生长机制,利用高温退火方法和以Au作金属催化剂,在n-(111)单晶Si、多晶Si以及石英衬底上直接生长出了具有一定直径分布、长度可达数微米到数十微米的Si纳米线。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能量损失谱(EDS)对样品的表面形貌、化学组分进行了结构表征和分析,并利用FLS920荧光光谱仪对Si纳米线的PL特性进行了测量。结果发现,Si纳米线在400-48
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