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氮化镓(GaN)是III-V族第三代直接宽禁带半导体材料,具有稳定的物理化学性质和优越的光电性能,可以被用于制造紫外线探测器、高温高辐射探测器和高频大功率微波器件等。包覆作为开拓GaN光电子器件应用的重要途径,被广大科研学者采用。氮化硼(BN)是直接宽带隙半导体材料,具有与GaN相同的结构和相近的晶格常数,具有良好的物化性质及负的电子亲和势,被广泛地应用于场发射器件及发光二极管等。因此鉴于两者的优良特性可制备BN包覆GaN纳米线复合结构来提升场发射器件及发光器件的性能。本文通过理论和实验两部分研究B