【摘 要】
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该文采用有限单元法计算了MCG600型单晶炉所配备CUSP磁场的分布情况,并与测量值做了对比,两者基本一致,说明数值计算方法的结果是可靠的,同时计算结果表明,CUSP磁场作为一种
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该文采用有限单元法计算了MCG600型单晶炉所配备CUSP磁场的分布情况,并与测量值做了对比,两者基本一致,说明数值计算方法的结果是可靠的,同时计算结果表明,CUSP磁场作为一种非均匀磁场,具有与传统的水平磁场和垂直磁场不同的鲜明特征:它在晶体一熔体界面和自由表面只有纯粹的水平磁场分量,该水平磁场分量自坩埚轴线向外径向地发散,其值基本上与坩埚半径成正比,而在坩埚侧壁和底部则存在着较强的正交磁场分量.这说明CUSP磁场能够更有效地抑制熔哇的对流,增大边界扩散层厚度.该文还做了在CUSP磁场的作用下直接生长硅单晶的试验.试验结果表明:在CUSP磁场的作用下直拉生长的硅单晶比起不加磁场的情况来说,其轴向氧分布明显降低,氧的轴向分布均匀性和径向分匀匀性都得改善,杂质的径向分均匀性也变好.因此,将CUSP磁场与其它晶体生长控制手段结合起来能够生长出具有期望质量的大直径硅单晶.
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