【摘 要】
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该论文对MOS集成电路可靠性优化设计技术中的几个问题进行了研究,尤其针对器件热载流子效应(HCE)失效模式进行了研究.在分析热载流子失效机理的基础上,提出了评估集成电路在
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该论文对MOS集成电路可靠性优化设计技术中的几个问题进行了研究,尤其针对器件热载流子效应(HCE)失效模式进行了研究.在分析热载流子失效机理的基础上,提出了评估集成电路在直流下HCE失效的补底电流和栅电流模型和寿命模型,并介绍了在动态应力下的寿命模型,着重分析了电路中影响HCE失效的因素.论文还讨论了HCE效应对电路性能的影响,在器件一维失效模型的基础上,提出了HCE栅延迟退化模型.结合进化算法的思想和数论的优点,提出了一种新的进化算法-NEA算法.最后,该论文对MOS集成电路和器件热载流子效应可靠性优化设计技术和可靠性模拟技术相结合,实现了MOS集成电路可靠性优化设计系统-XDNEA,用实例对系统进行了检验和比较,结果证明了研究人员所提出模型和算法的正确性和有效性.
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