随着信息技术的迅速发展,市场对低成本、重量轻、柔性的电子产品的需求越来越大,传统无机半导体器件和电路的发展正逐渐逼近其尺寸缩小和成本降低的极限。有机半导体材料以其在低价、柔性、质轻等方面的独特优势,已经在众多下一代半导体技术应用中脱颖而出。本文以具有双稳态电阻转变特性的有机存储器件为研究对象,分别从材料、工艺和器件性能等方面,展开了一系列较为全面的研究。主要工作内容如下：1.以无机电子学及传统硅基存储技术的发展为背景,论述了有机电子学的发展历程及研究现状,同时概述了有机存储器的研究进展及应用潜力。2.在有机分子薄膜的制备工艺方面,介绍了有机器件制作过程中非常重要的两个工艺——有机分子薄膜的制备及图案化技术。有机半导体材料的化学敏感、可溶等特性决定了其成膜技术的多样性,可采用真空淀积法、溶液处理法、L-B膜法、有机气相沉积法和电化学聚合等多种成膜方法。有机半导体膜的图案化可以有效地降低相邻器件间的串扰,提高有机器件及其集成电路的性能。常用的有机分子薄膜图案化方法包括：镂版技术、喷墨打印技术、印章技术、丝网印刷技术等。3.选择研究较为成熟的八羟基喹啉铝(Alq3)有机分子材料,制备了基于Alq3的金属纳米晶掺杂存储器,并对其物理特性及电学特性进行了表征的分析。Au作为掺杂纳米晶的Alq3存储器目前尚未研究成功,我们分别选择了常用的掺杂金属A1以及Au作为掺杂纳米晶,器件制备采用光学光刻及漏板技术相结合的方法。对Au纳米晶的形貌分布,分别采用扫描电镜(SEM)及俄歇电子能谱(AES)进行了表征分析,发现只有当掺杂的金呈不连续的纳米颗粒形貌时,器件才具有良好的存储特性。4.酞菁氧钛(TiOPc)有机分子应用于有机存储的研究目前尚不成熟,我们采用不同的上电极金属,制备了基于酞菁氧钛(TiOPc)有机分子的单组分薄膜存储器件以及金纳米晶掺杂存储器件。发现TiOPc薄膜本身不具有电双稳态特性,TiOPc/Al的界面效应以及Au纳米晶掺杂可使TiOPc薄膜产生电双稳态存储特性,且Au纳米晶掺杂和TiOPc/Al界面同时存在时,器件的存储特性会得到更大的改善。