应变Si具有迁移率高、能带结构可调的优点,且能与传统的体Si工艺兼容,在目前的集成电路产业中,应变Si/SiGe异质结构的器件和电路已经得到运用。在应变Si这项技术实际运用的同时,相关理论也在不断发展。能带决定了半导体材料及器件的许多重要特性。自上世纪50年代以来,已经出现有许多相关理论研究方法,包括密度泛函理论、赝势理论、以及k·p微扰理论。对体Si(弛豫Si)的能带研究开展已有很长时间,但目前没有较系统地研究应变对Si能带结构影响。基于此目的,本文主要了研究双轴张应变以及双轴压应变对Si与SiGe能带结构的影响。本论文基于k·p微扰理论,采用经典的6×6哈密顿矩阵形式,加入自旋轨道分离项的影响,求解得到弛豫Si以及弛豫SiGe的价带色散关系。在未应变的能带基础上,考虑两者不同的应变微扰表征,通过相应的数值计算,获得张应变以及压应变Si、SiGe的价带色散关系,得到价带在应变下的变化情况。通过与其他文献比较可知,本论文计算结果准确,能带在应变下变化趋势也相同。最后,介绍了应变Si、SiGe导带的求解思路,以待今后的更进一步研究。