作为一种重要的功能性半导体材料,对氧化铟纳米材料的结构、光学性质以及制备方法的研究对于其应用是至关重要的。本论文工作主要分成四个部分：第一部分,介绍氧化铟纳米花的制备方法和表征。这部分主要介绍了水热法制备氧化铟纳米花的过程,对扫描电子显微镜、透射电子显微镜以及共焦显微光谱系统的原理进行说明。第二部分,氧化铟纳米花结构性质的研究。我们报道了通过退火的方法实现了氧化铟纳米花从斜方六面体结构到体心立方结构的相变。通过拉曼光谱实验验证了相变的发生。探测到相变的温度点在600℃左右。通过在不同的退火温度下探测氧化铟的荧光光谱,进一步验证了相变现象。同时通过退火的方法合成了体心立方结构的氧化铟纳米花。第三部分,氧化铟光学性质的研究。我们研究了氧化铟纳米花在低温和变功率条件下的荧光光谱。在低温荧光光谱实验过程中,氧化铟纳米花荧光强度随着温度的降低强度变强,波包半宽变窄,这是由于高温情况下,非辐射复合跃迁的几率增加,同时受热噪声的影响,载流子受声子的散射作用增强使得波包半宽变宽。在变功率的实验过程中,氧化铟纳米花的荧光强度随着激发功率的增加光强逐步增强。第四部分,氧化铟纳米棒各向异性和光学性质的研究。我们在不同的偏振配置下研究了氧化铟纳米棒不同的拉曼模式对不同的配置有不同的敏感性。