本论文介绍了当今被认可的几种有机薄膜晶体管模型的理论:多重俘获和释放理论、多晶晶界陷阱理论、蒙特卡罗统计理论等,并从中挑选出了一种比较合理且应用比较广泛的理论,即跳跃理论作为本论文中的理论模型。基于跳跃理论,本论文提出了一种有机薄膜晶体管的直流仿真模型公式。首先利用电流密度和电导率之间的关系得到了电流公式,再利用渗透理论得到了基于跳跃理论的电导率表达式,通过一系列的公式计算、近似分析、变量代换等,得到了一个基于跳跃理论的有机薄膜晶体管的模型公式。利用有机薄膜晶体管试验数据提取并计算了该仿真模型中所需要的一部分参数,并使用MATLAB软件画出了传输特性曲线。经过多次的拟合得到了一组与试验数据符合较好的参数值,也验证了本论文中得到的有机薄膜晶体管的直流公式的准确性。为了能够在某种仿真软件中对有机薄膜晶体管进行仿真,我们认为找到一个现有的TFT模型进行替代近似,也是目前一种比较实用的暂缓之计。本论文又探索了一种基于HSPICE仿真软件的有机薄膜晶体管的仿真模型。本论文选用了Level 62 RPI TFT模型,在该模型的基础上通过参数提取和参数拟合得到了输出特性曲线与试验数据相符合的一组参数,验证了基于Level62 RPI TFT模型的有机薄膜晶体管的仿真模型的有效性。利用该模型,对一种由全P型有机薄膜晶体管构成的反相器进行仿真,得到了较理想的结果,再次证实了基于Level62 RPI TFT模型的有机薄膜晶体管的仿真模型的实用性。