InAs/InAsSb应变超晶格材料的MOCVD生长

来源 :第17届全国晶体生长与材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wq446395427

【摘要】

：

因具有特殊的错开型能带结构,InAs/GaSb II型超晶格材料在红外探测领域具有广泛的应用前景,是目前国际上的研究热点。与传统红外探测材料碲镉汞相比,InAs/GaSb II型超晶格具有大面积均匀性好、响应波段范围宽、隧穿电流小、俄歇复合率低等优点,是制作大面积焦平面红外光电探测器的理想材料,但是由于GaSb组分层中Ga相关缺陷的存在使得InAs/GaSb超晶格材料少数载流子寿命非常小,为解决这

【作者】

：

宁振动刘舒曼王占国赵连城

【机构】

：

哈尔滨工业大学中国科学院半导体研究所

【出处】

：

第17届全国晶体生长与材料学术会议

【发表日期】

：

2015年5期

【关键词】

：

InAs/InAsSb 超晶格 MOCVD

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