【摘 要】
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本文采用反应磁控溅射的方法,以Si(111)为基底,在不同的氩氮流量比(即不同氮分压)的条件下,制备了一系列的TiN薄膜.用XRD和SEM表征了薄膜的结构和形貌.研究了不同氮分压对薄
【机 构】
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东南大学材料系,南京,210096
【出 处】
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2005年全国材料科学与工程学术会议
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本文采用反应磁控溅射的方法,以Si(111)为基底,在不同的氩氮流量比(即不同氮分压)的条件下,制备了一系列的TiN薄膜.用XRD和SEM表征了薄膜的结构和形貌.研究了不同氮分压对薄膜结构和形貌的影响.结果表明:高氮分压条件下制备的TiN薄膜具有{100}择优取向;较低氮分压条件下制备的TiN薄膜呈{111}择优取向;在更低或中间数值的氮分压条件下,TiN薄膜表现出任意取向;薄膜的沉积速率随着氮分压的增大而减小。
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