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0.35um CMOS工艺GPS接收机前端低噪声放大器的设计
0.35um CMOS工艺GPS接收机前端低噪声放大器的设计
来源 :2005年“数字安徽”博士科技论坛 | 被引量 : 0次 | 上传用户:chengjiangjie
【摘 要】
:
利用TSMC 0.35um CMOS工艺参数,设计了可应用于GPS接收机的低噪声放大器(LNA),电路采用单端共源共栅结构,用SmartSpice对电路进行分析优化,仿真结果表明,噪声系数为1.43dB,增益高于
【作 者】
:
王昌林
李东生
【机 构】
:
解放军电子工程学院工程实验中心,合肥 230037
【出 处】
:
2005年“数字安徽”博士科技论坛
【发表日期】
:
2005年期
【关键词】
:
CMOS
工艺参数
GPS接收机
前端
低噪声放大器
共源共栅结构
噪声系数
仿真结果
电路
增益
优化
设计
分析
单端
TSMC
LNA
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利用TSMC 0.35um CMOS工艺参数,设计了可应用于GPS接收机的低噪声放大器(LNA),电路采用单端共源共栅结构,用SmartSpice对电路进行分析优化,仿真结果表明,噪声系数为1.43dB,增益高于20dB.
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