【摘 要】
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用α幂电流模型为基础计算非阶跃输入情况下ＣＭＯＳ反相器的延迟时间，并导出一个简单的延迟时间的解析公式，以此为出发点对ＣＭＯＳ反相器链构成的输出缓冲器进行优化设计。分析了反相器链的级
【出 处】
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第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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用α幂电流模型为基础计算非阶跃输入情况下ＣＭＯＳ反相器的延迟时间，并导出一个简单的延迟时间的解析公式，以此为出发点对ＣＭＯＳ反相器链构成的输出缓冲器进行优化设计。分析了反相器链的级数及器件阈值电压对缓冲器总延迟时间和功耗的影响，提出使延迟时间和功耗都尽可能小的优化设计方案，并讨论了在一定延迟时间要求下使功耗延迟乘积（ＰＤＰ）最小的电源电压和阈值电压缩小方案。
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