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该文对不同辐射环境条件（不同辐照剂量率，不同辐照偏量）下的高速54HC CMOS电路的时间参数响应特性进行了研究，并对其辐照退化及失效机制进行了探讨，取得了一些有价值的研究结果。
电离辐射环境中的高速CMOS电路时间特性退化及其机理研究
【摘 要】
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该文对不同辐射环境条件（不同辐照剂量率，不同辐照偏量）下的高速54HC CMOS电路的时间参数响应特性进行了研究，并对其辐照退化及失效机制进行了探讨，取得了一些有价值的研究结果。
【机 构】
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院新疆物理研究所(乌鲁木齐)
【出 处】
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第九届全国核电子学与核探测技术学术年会
【发表日期】
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1998年期
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