剂量增强系数相关论文
本文介绍典型双极晶体管在X射线辐射环境下性能的退化及剂量增强效应。实验测量了双极晶体管X射线辐射剂量增强系数,研究了双极器......
如何改进剂量增强系数实验测量的方法和实验测量装置,以及实验测量的详细过程.得到了两种不同类型场效应管的辐照数据,根据实验数......
该文研究ＣＭＯＳ电路在Ｘ射线辐射环境下性能的退化及剂量增强效应，测量了相对剂量增强系数（ＲＤＥＦ）。比较了不同工艺ＣＭＯＳ电路剂量增强系数。研究了高原子......
X射线或低能γ射线射入原子序数不同材料的界面时,在靠近界面的低原子序数材料区会产生剂量增强.因为低能γ射线在原子序数不同材......
用蒙特卡罗方法计算不同厚度的金在金-酞菁铜界面的剂量增强系数.结果表明,金的厚度影响界面附近的剂量增强效果.当金的厚度为0~8......
当X射线射入不同材料组成的界面时，在低Z材料的一侧将产生剂量增强.介绍了界面剂量增强效应的基本原理，并用蒙特-卡洛程序计算了钨-......
用蒙特卡罗方法计算不同几何结构的双层重金属对有机半导体界面产生的剂量增强系数，结果表明，X射线在金-酞菁铜-金界面产生与金-酞菁......
用Monte Carlo方法计算了双层封装结构Al／Au-Si，Kovar／Au-Si，Au／Al-Si和Au／Kovar-Si对不同能量X射线在Si中的剂量增强系数，并进行比较．结果......
用蒙特卡罗方法计算金-酞菁铜、钨-酞菁铜和钽-酞菁铜界面的剂量增强系数,结果表明，当X射线能量为100～150keV时，界面附近酞菁铜一侧存......
用蒙特卡罗方法计算不同厚度的金在金-酞菁铜界面的剂量增强系数．结果表明，金的厚度影响界面附近的剂量增强效果．当金的厚度为0～8μm时......
通过建立一个典型的金／硅界面结构模型，对X射线入射界面时的剂量增强效应进行了研究。采用MonteCarlo方法计算了不同能量X射线入射金......
用蒙特卡罗（MCNP）方法计算有机半导体的封装材料为金（Au）和陶瓷（Ceramic）、金属化层为金（Au）和铝（Al）时对金属一酞菁铜（CuPc）界面下剂量增强效......
用蒙特卡罗方法计算不同能量的X射线在Schottky-TiOPc-Schottky界面处产生的剂量增强系数(DEF)与肖特基(Schottky)和酞菁氧钛(TiOP......
当X射线射入不同材料组成的界面时，在低Z材料的一侧将产生剂量增强。介绍了界面剂量增强效应的基本原理，并用MCNP Monte-Carlo程序......
本文研究在Ｘ射线剂量增强环境下电子系统的薄弱性及应采取的加固方法，给出了组成电子系统各类器件和集成电路剂量增强系数，从实验结果......
本文首先利用蒙特卡罗光子-电子耦合输运程序模拟计算了Au-Si界面的剂量增强,所得剂量增强系数DEF(Dose Enhancement Factor)与国......
本文首先利用蒙特卡罗光子-电子耦合输运程序模拟计算了Au-Si界面的剂量增强,所得剂量增强系数DEF(Dose Enhancement Factor)与国......
论文由四部分组成,分别为引言、原理、蒙特卡罗方法及MCNP程序介绍、模型建立和数据分析。第一部分引言介绍了有机半导体的发展历......
