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锗硅是一种继硅和砷化镓之后的重要半导体材料。由于SiGe HBT器件可达到化合物半导体器件性能，且与传统体硅工艺兼容，因此具有很多优势.介绍笔者开发的Scalable 0.18μm射频-锗硅HBT器件工艺，说明HBT器件的电特性，器件电压范围覆盖主要的电路设计需求.从工艺器件特性改善方面，介绍了高压HBT器件的性能。