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通过对P-N结隔离和SOI全介质隔离技术的对比研究，提出了一种适用于100V以内的单晶硅深槽介质隔离工艺，隔离电压100V时，相邻隔离岛之间的最大漏电流小于0.5nA，隔离击穿耐压高达150V，完全满足器件隔离要求。采用该技术，运用于互补双极工艺，成功研制出一种双路高压运算放大器，其中单个NPN晶体管面积减小约46％，芯片面积比同类产品缩小三分之一。