论文部分内容阅读
本文主要研究了用RO(反渗透)与EDI(电去离子)联用对高纯水中硅的去除方法.通过实验得出EDI的最佳脱硅条件,以满足超大规模集成电路用水中硅的要求.
超大规模集成电路用水中硅的去除
【摘 要】
：
本文主要研究了用RO(反渗透)与EDI(电去离子)联用对高纯水中硅的去除方法.通过实验得出EDI的最佳脱硅条件,以满足超大规模集成电路用水中硅的要求.
【机 构】
：
上海同济大学电子信息学院(上海)
【出 处】
：
第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会
【发表日期】
：
2003年2期
其他文献
在早期的温度加速研究中,广泛采用阿尔赫留斯(Arrhenius)方程来描述介质的时变相关击穿时间(TDDB),随着超大规模集成电路集成度的迅速增大,当SiO厚度小于7nm以后,人们发现,t不仅与应力电压(电场)有关,而且与温区有关,人们称这种t温度特性为非阿尔赫留斯(Non-Arrhenius)效应,DiMaria等[1]发现Ln t在高温区存在较好的线性,但是在较低的温区,线性变缓,难以用一个统
本文介绍了一种新型的平板显示技术OLED的发光原理及结构特点,并把OLED技术特点与传统的CRT和LCD等显示技术进行了比较.同时对OLED的市场前景进行了描述.
介绍了在本征I基区采用掺杂浓度两层渐变式结构的SiGe/Si异质结开关功率二极管.由Medici模拟所得的特性曲线表明,该结构在正反向I-V特性基本不发生改变的前提下,得到了与I区固定掺杂结构相比更好的反向恢复特性,软恢复特性更加明显,反向恢复过程加快.本文随后对渐变掺杂所得到的优越性能进行了理论分析,并对层段厚度的比例进行了优化设计.
本文报道了一个可调频率的CMOS振荡器电路的设计和研制.利用专用集成电路内部设计的电源基准源产生的Iref 10微安电流及外部调节端D2、D1、D0逻辑组合控制MOS管的状态,来调整振荡器产生电路的电流镜电流,控制对电容的充放电速度,进而实现对振荡器振荡频率的调节.
在设计半导体集成电路时,经常利用SPICE程序进行电路模拟,在模拟过程中经常会出现电路收敛问题.无法完成收敛大多是直流/瞬态收敛的问题,这个问题至今没有得到圆满的解决.本文分析了收敛性问题可能的成因,同时给出了一些行之有效的方法,最后给出了一个解决收敛问题的实例.
研究了退火对溅射沉积ZnCdO薄膜(0≤x≤1.0)薄膜结晶质量的影响.结果发现:500℃下退火的薄膜具有最高的XRD衍射强度,但Cd组分含量较高(x≥0.6)的薄膜易发生CdO晶相的再蒸发现象.退火ZnCdO(0≤x≤1.0)薄膜的晶胞参数比原位沉积时出现减小现象,尤其是Cd组分含量较高(x≥0.6)的薄膜受CdO组分再蒸发现象的影响,晶胞参数减小幅度较大,而薄膜带隙出现增大现象(CdO薄膜除外
采用氧氮共注的方法制备了SIMON圆片,对制备的样品进行了二次离子质谱和透射电镜分析,并进行了埋层结构与抗辐射性能的机理分析.结果表明,注氮剂量较低时埋层质量较好.机理分析结果表明,圆片的抗辐照性能与埋层质存在很密切的关系,埋层的绝缘性能和埋层中的断键是提高器件抗辐射效应的关键因素.
为了解决微电子特别是MEMS(微电子机械系统)器件结构中的氮化硅薄膜的应力问题,本文采用了离子注入的方法来获得低应力的氮化硅,分别比较了不同注入的离子(B离子和P离子)的注入剂量、注入能量对氮化硅应力的影响,从而得出减小应力的最佳注入参数.随后根据微电子工艺的特点也进行了注入后的退火实验并比较了退火对氮化硅应力的影响,发现其对硼离子注入的氮化硅应力影响较大.并通过对一种采用此注入参数的氮化硅薄膜作
本文提出一种预测FLOTOX EEPROM可靠性的方法,该方法利用EEPROM擦写过程中隧道氧化层中的陷阱电荷的产生时间常数与阈值窗口开始关闭的时间成正比来预测脉冲应力电压相对较低时的阈值窗口关闭的时间,该方法与"利用脉冲应力相对较高情况下的阈值窗口开始退化的时间来预测脉冲应力电压相对较低时的阈值窗口退化的时间"相比,大大节约了测量时间.
用VHF-PECVD法沉积大面积硅基薄膜已经得到广泛的研究,其中主要的问题是均匀性,而影响大面积薄膜均匀性的主要原因是由于电极板电场分布的均匀性.本文主要介绍了影响电场分布的主要因素及主要的解决方法,同时给出了在保证均匀性下衬底尺寸与激发频率的关系.