【摘 要】
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GaN based LEDs and HEMTs have been widely used for SSL and base-station applications, respectively.They enable dramatic energy savings compared to currently-used incandescent bulbs, fluorescent lamps
【机 构】
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Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc.(AMEC), 188 Taihua Road, Shanghai 201201
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GaN based LEDs and HEMTs have been widely used for SSL and base-station applications, respectively.They enable dramatic energy savings compared to currently-used incandescent bulbs, fluorescent lamps and Si-based power devices.However, the price of current GaN based devices is much higher compared to the traditional devices.
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ZnO has been regarded as one of the most promising candidates for the next generation of short-wavelength ght emitting diode and lasing devices.Recent improvements in t he control of background conduc
MgZnO合金薄膜以其优异的光电特性,如较大的可调带隙(3.3 eV至7.8 eV)1,较高的电子和漂移速率,较强的抗辐照能力等,在紫外光电探测领域受到越来越多的关注.通过对异质外延爱冲层的优化设计以及各生长参数的合理配置,目前MgZnO合金的组分调节已经克服固溶度和相限制,可以达到全波段的要求.虽然MgZnO合金薄膜在单晶生长方面已经取得了令人振奋的果2,但是目前薄膜的电学性质无法得到调控仍是制
发光波长在300nm以内的光源在食品消毒、临床诊断等方面有重要的应用.可是目前主要的这类光源主要是以氙灯、汞灯等为主,它们一般工作寿命短、稳定性和稳定性比较差.目前虽然GaN基宽禁带半导体材料在深紫外发光器件取得了显著进展,但是掺杂问题依然是其面临的重要挑战,比如掺杂问题中随着禁带宽度增加而不断增长的受主激活能使有效p型掺杂问题重重.
近年来,GaN基LED是固体照明的核心技术,因此,高效率、高亮度和低成本的GaN基LED成为人们所追求的目标.GaN纳米柱因其具有宽高比大、应力释放、易于光萃取、易于实现全彩照()等特点,被认为是实现高效固体照明的方法.同时,高质量的GaMnN材料是自旋偏振光LED的基础,所以,GaMnN纳米柱作为新型的光电材料引起了研究人员的兴趣.
金硅共晶键合中硅扩散的驱动力被认为来自金的催化作用,黏附层(Ti/Ni/Cr)一般被添加在硅衬底与金层间来保证连结,事实上共晶形成温度要明显高于金硅共晶点温度。本文采用电子束蒸镀方法在P型(100) Si片上蒸镀金属,随后进行退火实验,并利用金相显微镜以及扫描电镜观察黏附层变化以及样品表面形貌。对比不同退火条件下Si/Au,Si/Ti/Au和Si/Ni/Au体系中黏附层金属的变化,讨论了黏附层金属
随着采用45nm工艺微处理器的发布,标志着在CMOS制造工艺中引入新材料的时代正式到来.于高介电常数材料可以允许更厚的栅介电材料,从而降低漏电流,并成为必需.因此选择恰当的K材料,满足介电常数、热力学稳定性、栅极电极兼容和界面层稳定性等生产上的要求.
目前Ⅲ族氮化物器件均是采用异质外延技术制备的,该技术具有晶格失配、热失配等固有缺点,根本解决措施即采用GaN同质外延.本文用MOCVD技术在GaN及PSS衬底上生长相同的InGaN/GaN多量子阱结构,并利用变温度及变功率光致发光谱技术对上述两样品的发光特性进行研究对比,结果证明GaN衬底样品具有更大的局域态和更小的极化场,因此具有更高的内量子效率.
The band offsets of non-polar A-plane GaN/AlN and AlN/GaNheterojunctionsare measured by x-ray photoemission spectroscopy.A large forward-backward asymmetry is observed in the non-polar GaN/AlN and AlN
可调谐激光器作为现代波分复用(WDM)光学通信系统[1]的关键器件受到广泛关注,较固定波长的分布反馈(DFB)激光器而言,可调谐激光器的使用极大地减少了WDM系统的搭建和运作费用.与取样光栅分布布拉格反射(S GDBR)可调谐激光器[1]相比,两段或者三段式的分布布拉格反射(DBR)激光器具有更简单的结构,直接降低了工艺难度和成本.
设计了一种GaN-A1GaN-GaN的特殊势垒结构,并将这种特殊势垒结构来替代传统的InGaN发光二极管的最后一个GaN势垒.研究发现含有这种特殊势垒结构的LED在不使用传统的电子阻挡层的情况下,有更好的光电特性.其开启电压从3.39 V下降为2.98 V,更重要的是其效率衰减从30.1％下降为14.2％.