【摘 要】
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目前Ⅲ族氮化物器件均是采用异质外延技术制备的,该技术具有晶格失配、热失配等固有缺点,根本解决措施即采用GaN同质外延.本文用MOCVD技术在GaN及PSS衬底上生长相同的InGaN/GaN多量子阱结构,并利用变温度及变功率光致发光谱技术对上述两样品的发光特性进行研究对比,结果证明GaN衬底样品具有更大的局域态和更小的极化场,因此具有更高的内量子效率.
【机 构】
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北京大学物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京100871 三安光电股份有限公司,厦门
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目前Ⅲ族氮化物器件均是采用异质外延技术制备的,该技术具有晶格失配、热失配等固有缺点,根本解决措施即采用GaN同质外延.本文用MOCVD技术在GaN及PSS衬底上生长相同的InGaN/GaN多量子阱结构,并利用变温度及变功率光致发光谱技术对上述两样品的发光特性进行研究对比,结果证明GaN衬底样品具有更大的局域态和更小的极化场,因此具有更高的内量子效率.
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