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,Influence of Schottky drain contacts on the strained AlGaN barrier layer of AlGaN/AlN/GaN heterostr
【机 构】
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School of Physics, Shandong University, Jinan 250100, China“,”Laboratory of Semiconductor Materials
【出 处】
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中国物理B（英文版）
【发表日期】
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2013年4期
其他文献
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