【摘 要】
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The two-dimensional electron gas(2DEG) at the interface of two materials with same crystal symmetry and similar lattice constants but different bandgaps has for many years been a fertile playground fo
【机 构】
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Department of Physics and State Key Laboratory for Silicon Materials,Zhejiang University,Hangzhou,Zh
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The two-dimensional electron gas(2DEG) at the interface of two materials with same crystal symmetry and similar lattice constants but different bandgaps has for many years been a fertile playground for discovering novel electron physics and new device applications.Ⅱ-Ⅵ compound semiconductor CdTe,Ⅳ-Ⅵ compound semiconductor PbTe and SnTe thin films,and CdTe/PbTe heterojunction have been grown by MBE.Using angle-resolved photoemission spectroscopy(ARPES),we studied bulk and surface electronic band structures of narrow-gap semiconductor PbTe thin films.
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