论文部分内容阅读
多晶硅薄膜结构对多孔多晶硅薄膜发光强度的影响
【机 构】
：
大学电子工程系
【出 处】
：
第六届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
：
1998年期
其他文献
在PCVD系统中，用射频辉光放电方法沉积本征a-Si：H薄膜，再经退火固相晶化而形成多晶硅薄膜。通过寻找最优的退火温度，在硅衬底上经过550℃温度、3h退火而制备了晶粒尺寸大于1um的
低消耗、高质量生产多晶硅是硅材料厂家所追求的目的。该文对多晶硅生产过程中出现的黑棒现象，从理论和实践两方面进行了分析，并提出了消除办法。
该文报道了低压化学气相淀积（ＬＰＣＶＤ）制备的多晶硅薄膜内应力与制备条件、退火温度和时间及掺杂黉度关系的实验结果。ＬＰＣＶＤ制备的多晶硅薄膜具有本征压应力。采用快速退炎（ＲＴＡ）可以使其压应力检
铸造多晶硅是低成本高效率的新型太阳能光电转换材料，其中氧是重要的杂质。该文研究了在原生铸造多晶硅中氧的宏观、微观分布性质、原生热施主的性质和对材料电学性能的影响，并
该文研究了用UTT－40型超高真空镀膜机蒸发形成的多晶硅薄膜的高子注入掺杂和退火特性，并用多晶硅发射极制作了新型的高灵敏度光电晶体营，当人射光功率为44nw时，光电增益达到了338
在微型机电系统中元件之间会产生接触,因此磨损将影响到系统的寿命,摩擦和粘滑还会影响到装置的工作可靠性,特别是启动摩擦会影响到装置的工作稳定性.利用球盘摩擦实验装置对