禁带宽度梯度化的半导体薄膜光电极的研究

来源 :科学通报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：vay_b

【摘要】

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为了得到光电化学性质稳定且具有宽的光吸收范围的光电极材料,给出了一种禁带宽度梯度化的氧化物半导体薄膜电极的设计.用溶胶凝胶法将不同V/Ti比的溶胶逐层涂于基板上,通过

【作者】

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赵高凌宋斌韩高荣幸塚广光横尾俊信

【机构】

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浙江大学材料科学与工程学系

【出处】

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科学通报

【发表日期】

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2001年1期

【关键词】

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禁带宽度梯度化溶胶凝胶法光电极

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为了得到光电化学性质稳定且具有宽的光吸收范围的光电极材料,给出了一种禁带宽度梯度化的氧化物半导体薄膜电极的设计.用溶胶凝胶法将不同V/Ti比的溶胶逐层涂于基板上,通过热处理得到了禁带宽度梯度化的Ti1-xVxO2薄膜电极.XPS结果显示所得薄膜中形成了组成梯度.这种Ti1-xVxO2薄膜电极的光电化学性质稳定,光生伏打约为360mV,可见光区具有明显的光电流.与纯的TiO2薄膜电极相比,Ti1-xVxO2薄膜电极的光电流起始电压正移了.这是由于电极表面富集的钒形成了电子空穴复合中心.Ti1-xVxO2的导

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