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本文对铁电薄膜干法刻蚀的方法进行了研究。首先在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上溅射PZT薄膜，在650℃下退火得到(111)晶向的薄膜结构。研究了采用SF6/Ar2工艺气体刻蚀PZT的效果：主要分析了RIE的功率、Ar2百分比和腔体压力对刻蚀速率的影响.得到最大刻蚀速率为800 A/min。最后对干法刻蚀的铁电电容进行了测试，得到剩余极化强度Pr为40μC/cm2，矫顽电场Ec为50kV/cm，漏电流为5E-7A，为铁电存储器的实现提供了良好的工艺基础。