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本文提出了一种SOI基于槽栅LIGBT结构，它的栅电极没有位于阳极与阴极之间。基于此创新，发现新结构器件比旧结构器件展现出了巨大的优势。通过降低阴极n+区域下方空穴电流，新埋栅LJGBT有宽安全工作区和短的关断时间。除此，新结构器件的栅氧在阳极加很小电压时便处于耗尽区内，能够防止热电子注入到栅氧内，进而增加器件的稳定性。