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本文设计了单晶型100V LDMOS,其具有导通屯阻低和耐压高的优点。文中利用RESURF技术和场板技术优化其关态特性和开态特性;在工艺设计中,采用与低压器件兼容的BCD工艺,完成了工艺参数的优化;最后设计器件的版图并进行流片。芯片的实测结果为:反向击穿电压98V,比导通电阻0.5Ω·mm2。