半导体存储器是电子设备最基本的元器件之一,是现代信息技术的重要组成部分,随着互联网的迅速发展,人们对于数据的需求急剧增加,因此人们希望可以获得性能优良、价格低廉的存储器来存储数据,目前,基于浮栅结构的闪存(Flash)已经获得了很大的成功,占据着存储器中主要的地位,但是随着半导体工业的迅猛发展,闪存正面临着很大的挑战,包括擦写电压高,擦写速度慢,耐久性低,以及尺寸正在接近物理极限。而阻变存储器相比于Flash由于其具有低能耗、存储速度快、存储密度高等优势而更受到人们偏爱。铁电薄膜具有自发极化的特性,当电流通过铁电薄膜时,铁电材料能够调控通过的电流从而实现非破坏性的信息读取,由铁电极化所调控的阻变也称为铁电阻变,因此有望成为下一代存储器的有力竞争者。目前来说铁电极化调控的阻变性能已经在许多铁电薄膜以及基于超薄铁电薄膜的铁电隧道结中(FTJs)体现出来,阻变存储器一个重要的性能参数即是存储窗口(阻变开关),是指两种状态下阻态的比值,在阻变存储器中,存储窗口越大,有利于外围电路对存储状态的识别,并且能够降低信息存储的误码率。因此阻变开关比越大,说明阻变存储器的性能越好。PZT是一种用途比较广泛的铁电材料,可以用于铁电存储器及微机电系统中等领域,在之前的研究中,我们发现PZT/Nb:STO异质结的最大开关比与铁电性和导电性是密切相关的。为了进一步提高其最大开关比,我们用溶胶凝胶法在铌钛酸锶(NSTO)基板上制备了不同掺La摩尔浓度的PLZT薄膜,并且研究了不同掺La摩尔浓度PLZT薄膜的铁电性及漏电流变化;发现随着掺La摩尔浓度的增加,其铁电性是先增大后减小的。在掺La摩尔浓度为1%时,与纯PZT相比,漏电流并没有较大的提高,随着掺La摩尔浓度的增加,其漏电流也是逐渐增加的。另外我们根据I-V曲线,计算了不同掺La摩尔浓度阻变开关比,发现当掺La摩尔浓度为2%时,其最大的开关比超过10000,这要比之前文献中报道的结果提高了 1-2个量级,我们的结果表明了通过调节铁电性及漏电流,其阻变开关比能够进一步地提高。这也为今后铁电阻变存储器的发展提供了一个很好的理论支持。