采用室温下Ｓｅ离子注入半绝缘ＧａＡｓ衬底，通过优化注入能量、剂量、注入角度及快速热退火温度、时间，获得高剂量下（１×１０〈’３〉ｃｍ〈’－２〉．２００ＫｅＶ），杂质激活率大......