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采用室温下Ｓｅ离子注入半绝缘ＧａＡｓ衬底，通过优化注入能量、剂量、注入角度及快速热退火温度、时间，获得高剂量下（１×１０〈’３〉ｃｍ〈’－２〉．２００ＫｅＶ），杂质激活率大于７４℅，注入层平均载流子浓度为（５－６）×１０〈’１７〉ｃｍ〈’－２〉，平均载流子迁移率为３０１０ｃｍ〈’２〉／Ｖ．Ｓ，载流子浓度分布陡峭的优质离子注入薄层，成功地研制出了３０００门ＧａＡｓ超高速门阵列集成电路。