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电子辐照直拉硅单晶后，将在硅片内产生大量的辐照缺陷。本文利用四探针、付立叶红外吸收光谱仪(FTIR)和金相显微镜研究了硅中辐......
采用中子辐照掺杂直拉硅单晶(NTDCZ)技术生产高均匀性电阻率的Φ4″晶体,合理的后退火工艺是消除氧热施主和辐照施主干扰电阻率均......
本文对中子嬗变掺杂直拉硅(NTDCZSi)中辐照施主(ID)的退火行为和性质进行了研究,并探讨了不同中子辐照剂量和氧、碳含量对辐照施主......
