论文部分内容阅读
采用中子辐照掺杂直拉硅单晶(NTDCZ)技术生产高均匀性电阻率的Φ4″晶体,合理的后退火工艺是消除氧热施主和辐照施主干扰电阻率均匀性的关键,850℃4小时退火、适当的冷却工艺是获得高质量单晶比较合适的条件.
Φ4″NTDCZ硅单晶的研制
【摘 要】
：
采用中子辐照掺杂直拉硅单晶(NTDCZ)技术生产高均匀性电阻率的Φ4″晶体,合理的后退火工艺是消除氧热施主和辐照施主干扰电阻率均匀性的关键,850℃4小时退火、适当的冷却工艺
【机 构】
：
天津市环欧半导体材料技术有限公司(天津)
【出 处】
：
第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会
【发表日期】
：
2003年期
其他文献
WLAN接入技术的出现,不仅实现了有线网络的方便延伸,也为客户提供了更加方便优质的网络接入服务,中国WLAN的用户数量正在迅速增加,而WLAN漫游是运营商在实现WLAN技术应用过程
文章首先简要介绍了IEEE802.11标准的情况,然后对公众无线局域网中的认证策略和加密策略进行了详细分析,最后对公众无线局域网中存在的技术问题进行了探讨.
本文在贸易政策政治经济学的框架下考察美国重要议案投票结果的影响因素，以此来窥探美国对华贸易政策的主导力量。计量结果揭示出美国各种利益集团在对华贸易政策影响力上的消长：美国劳工组织为议员提供的政治捐资显著影响了议员的投票行为，直接促成了议案获得通过，而历史上支持对华贸易的商业集团并未发挥显著作用。此外，“汇率监督法案”是在民主党议员的主导下获得通过的；议员的个人因素在一定程度上影响了议案的投票结果；经典贸易模型关于不同群体对自由贸易态度的预测不能完全被议案的投票结果证实。未来中国各界需要努力追踪和把握关国重
随着对无线局域网WLAN的需求日益上升,许多企业对其内部网络的安全也越来越关注.本文主要说明了IEEE802.11通信标准所使用的安全机制以及缺陷,并提出相关的安全加强方案.
本文首先介绍了固定无线接入频率分配情况,接着分析了固定无线接入的现状,给出了各运营商的业务需求以及目前存在的一些问题,最后分析了固定无线接入的前景.
本文从等级微重力角度,阐述了磁场直拉硅单晶生长的原理和有关的效应.从控制马兰哥尼对流出发,说明了直拉硅的控氧机理,并推导出向熔体空间引入磁感应强度大小所对应的等效微
尊敬的陈秀烘老师、王广谦校长、杜厚文教授，各位学界的朋友和新闻界的朋友：我今天是以非常激动的心情来接受“浦山世界经济学优秀论文奖”的。我感到特别激动有几方面的原因，因为我跟浦山先生有相同的背景、相同的研究领域和相同的追求。
期刊
本文研究了LEC SI-GsAs衬底上常见的两种缺陷,AB微缺陷和位错(AB腐蚀液显示出AB微缺陷,密度为10-10cm量级;KOH腐蚀液显示位错,密度为10cm量级).发现衬底上的位错对器件跨导没
会议
氮化镓(GaN)材料是继硅(Si)、砷化镓(GaAs)之后的第三代半导体材料,GaN是在绿、蓝、紫以及紫外波段最有应用前途的光电子材料.由于其优良的性能,近几年成为国际上研究的热点,