能量过滤磁控溅射相关论文
氮化铝（AlN）是一种重要的Ⅲ-Ⅴ族直接带隙半导体材料,广泛应用于多种器件中。AlN薄膜具有宽带隙、高温稳定性等特点,可作为紫外光电......
锡掺杂氧化铟(Tin-doped indium oxide, ITO)是一种n型半导体材料，因具有优良的导电性能、高的可见光透过率和优良的机械性能等优点......
抑制光生载流子的复合，提高TiO2的光催化效率，制备出既具有良好的亲水特性又具有高光催化活性的薄膜型复合光催化剂已成为近年来光催......
TiO_2是一种典型的光催化材料,在紫外光照射下可有效地将有机污染物降解为CO_2、H2等小分子,从而达到处理有机污染物的目的,这被认......
作为新一代平板显示器的有机电致发光器件(organiclightemittingdiodes，OLEDs)因具备面板薄、体积小、重量轻、自发光、视角广、高......
利用在直流反应磁控溅射(DMS)技术基础上改进的能量过滤磁控溅射(EFMS)技术制备了ITO薄膜,并将其应用于顶发射有机电致发光器件(TO......
采用直流磁控溅射(DMS)和能量过滤磁控溅射(EFMS)技术在玻璃衬底上制备TiO_2薄膜。利用扫描电子显微镜、X射线衍射、椭圆偏振光谱......
利用能量过滤磁控溅射(EFMS)技术制备了TiO_2薄膜,并利用X射线衍射、扫描电镜和紫外-可见分光光度计分析了薄膜的结构、形貌和对Rh......
本文采用能量过滤磁控溅射技术(Energy Filter Direct Magnetron Sputtering,EFDMS),通过改变沉积温度在玻璃衬底上制备了一系列Ti......
采用磁控溅射(DMS)和能量过滤磁控溅射(EFDMS)技术在玻璃衬底上制备ITO透明导电薄膜。利用扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线衍......
叠层TiO_2薄膜可提高薄膜的比表面积,从而提高薄膜的光催化效率.利用直流磁控溅射（DMS）和能量过滤磁控溅射（EFMS）技术分别制备了单层和......
本文采用直流反应磁控溅射法及能量过滤磁控溅射技术，以玻璃为衬底制备了纳米TiO2薄膜和纳米TiO2／ITO复合薄膜。利用X射线衍射（XRD）、......
利用能量过滤磁控溅射技术，于低温条件下，在玻璃衬底上制备ITO薄膜，研究了过滤电极金属网栅目数、溅射功率、衬底温度对ITO薄膜光电性......
ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族宽带隙半导体材料。由于氧空位和锌间隙引起的半导体的自然掺杂是n型的,这使得ZnO具有良好的透光性、高电子迁移......
Te薄膜是一种VI族窄带隙元素半导体材料,晶格缺陷作为受主使其表现出P型导电性。Te位于Se和Po之间,具有半金属性,使其表现出多价性......
利用自主改进后的能量过滤磁控溅射(energy filtering magnetron sputtering,EFMS)技术制备Te薄膜,研究了沉积温度对薄膜结晶特性......
磁控溅射是一种广泛应用的薄膜制备技术。能量过滤磁控溅射是对磁控溅射技术加以改进后的一种薄膜制备技术。通过改变能量过滤磁控......
有机电致发光器件（organic light emitting diodes，OLEDs）作为新一代平板显示技术，具有超薄、超轻、视角广、主动发光、发光效率高、响......
