背栅相关论文
研究了一种新型双埋氧绝缘体上硅(DSOI)NMOSFET的自热效应(SHE)。通过实验测试并结合计算机数值模拟分析了SHE对DSOI NMOSFET输出......
成功制作了氧化锌纳米线沟道场效应晶体管器件,所制作器件的电学性能通过I-V测试进行了分析。使用了水浴法生长了单晶性完整的氧化......
使用超声分散CVD法合成的商用单壁碳纳米管(SWCNT),利用匀胶机把分散获得的、含有SWCNT的悬浮液均匀旋涂于SiO2/Si基上,利用萌罩式......
提出一种SOI基背栅体内场降低BG REBULF(back-gate reduced BULk field)耐压技术.其机理是背栅电压诱生界面电荷,调制有源区电场分......
根据压电效应模型,本文详细研究了压电电荷对GaAs MESFET沟道与衬底界面耗尽层的影响。认为正压电电荷比负压电电荷所引起的阀值电......
提出了一种埋部分P＋层的背栅SOI（Buried Partial P＋layer SOI,BPP＋SOI）高压器件新结构.部分P＋层的引入不仅有效地增强了源端埋氧层电场,......
在ＪＦＥＴ作输入管的代噪声高精度运放中，为了进一步减小输入偏流，增大输入阻抗，可使顶、背栅分离，且仅以顶栅接输入信号，而背栅接片内控制电路......
SOI（绝缘体上硅）器件在总剂量辐照下的主要性能退化是由于SOI器件的背栅阈值电压漂移引起的背沟道漏电。本文首先采用二维有限元方法......
