紧缩型SOI多模干涉光开关的设计

来源 :光电子·激光 | 被引量 : 0次 | 上传用户：LINGER123456

【摘要】

：

提出了一种新的紧缩型SOI多模干涉(MMI)光开关.开关由单模输入输出波导和MMI耦合器组成.通过在多模波导区域引入调制区,利用Si的等离子色散效应(PDE)改变调制区的折射率来实

【作者】

：

王章涛余金中

【机构】

：

集成光电子国家重点联合实验室

【出处】

：

光电子·激光

【发表日期】

：

2003年9期

【关键词】

：

SOI 多模干涉光开关多模干涉耦合器单模输入输出波导等离子色散效应 CrosstalkDense wavelength division multiple

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提出了一种新的紧缩型SOI多模干涉(MMI)光开关.开关由单模输入输出波导和MMI耦合器组成.通过在多模波导区域引入调制区,利用Si的等离子色散效应(PDE)改变调制区的折射率来实现开关动作.用FD-BPM方法对开关的工作原理和性能进行了模拟与分析.结果表明,光开关良好的综合性能,而整个开关的长度只有7 mm.

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