碲锌镉衬底相关论文
碲镉汞(MCT)自从问世以来一直是高端红外(IR)探测器领域的首选材料,分子束外延碲镉汞技术具有低成本异质外延、材料能带精准调控、......
平均位错密度(EPD)是评价晶体质量的重要指标之一,衬底的位错密度直接影响到外延膜的位错密度,进而影响到器件的性能.......
碲镉汞(HgCdTe)作为我国战略性高技术——红外光电技术的重要基础材料，其优越性充分体现在军事、航天等高端红外探测应用领域。随着......
碲镉汞（HgCdTe）薄膜是制作红外焦平面列阵探测器的最佳材料,在军事上具有极其重要的战略地位,但是这种材料生长时极其容易产生缺陷,......
碲镉汞(MCT)自从问世以来一直是高端红外(IR)探测器领域的首选材料,分子束外延碲镉汞技术具有低成本异质外延、材料能带精准调控、......
碲锌镉（CdZnTe）是液相外延碲镉汞（HgCdTe）薄膜的最佳衬底材料。获得高喷量的CdZnTe衬底表面对于提升红外探测器的性能有着十分重大的意......
该研究以提高液相外延碲镉汞材料的质量为出发点,研究液相外延生长过程中碲锌镉衬底受到高温汞蒸气影响后的变化情况,并利用光学显......
通过改变碲锌镉衬底的表面加工方法及溴-甲醇腐蚀液的浓度,研究衬底的表面状态对碲镉汞薄膜表面起伏情况的影响。利用傅里叶红外透......
该研究以提高液相外延碲镉汞材料的质量为出发点,研究液相外延生长过程中碲锌镉衬底受到高温汞蒸气影响后的变化情况,并利用光学显......
