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本文研究了基体偏压和氮气分压对多弧离子镀技术制备的CrAlN硬质膜的结构与性能的影响;利用扫描电镜(SEM)、电子能谱仪(EDS)、X射......
本论文为了研究不同实验条件下制备的Al掺杂GZO薄膜(以下均简称AGZO薄膜)的光电性能及残余应力等参数,通过磁控溅射的实验方法,运......
本论文前一部分采用控电位双脉冲技术,在P型单晶硅(111)面上电沉积制备了一系列的[Co(1.5nm)/Cu(t)]100(0.9nm<t<4.5nm)多层膜。采......
<正>专利申请号:2017107509887公布号:CN107470530A申请日:2017.08.28公开日:2017.12.15申请人:西北有色金属研究院本发明公开了一......
用直流磁控溅射方法制备的纳米Ge颗粒膜.通过XRD表征和LRS谱分析,发现沉积态颗粒膜主要为无定形态的Ge团簇,同时在溅射沉积过程中......
用粉末冶金方法制备了Co90Fe10,研究了不同退火温度对电子束蒸发方法制备的CoFe薄膜磁电阻特性和微结构的影响.CoFe薄膜在优于5.5&......
在室温下对工业纯铁试样进行了控制应变幅的等幅、拉-压、低周疲劳加载,随后在1173 K温度下从1 h延续至7 h进行真空退火处理,并分......
