直流热阴极相关论文
硼掺杂纳米金刚石膜结合了掺硼金刚石膜良好的导电性能和纳米金刚石膜表面光滑、摩擦系数低等优点，在许多高新技术领域具有更为广阔......
该文对直流热阴极PCVD法制备的金刚石厚膜进行了较系统的研究,主要内容有:对金刚石厚膜生长特性的研究,包括厚膜表面的结晶特性、......
直流热阴极PCVD方法是快速沉积高品质金刚石膜的一种方法,相对于常规冷阴极辉光放电而言,热阴极辉光放电是一种新型放电形式.该论......
采用直流热阴极等离子体化学气相沉积(PCVD)技术,在CH4:H2中加入N2改变等离子体能量分布状态,提高二次形核比例,制备纳米金刚石膜......
采用直流热阴极等离子体化学气相沉积( PCVD)技术,通过在CHJ/H2的混合反应气源中通入不同流量的N2,合成了掺氮纳米金刚石薄膜.结果......
在CH4/H2气氛下,利用直流热阴极PCVD(plasma chemical vapor deposition)设备,在高CH4流量下制备纳米金刚石膜。对制备的样品通过......
在CH4/H2气氛下,利用直流热阴极PCVD (Plasma chemical vapor deposition)设备,在低温低压下制备纳米金刚石膜.对制备的样品通过扫......
采用直流热阴极等离子体化学气相沉积（PCVD）技术,在CH4,H2流量分别为6sccm和200sccm,反应室气压为6×103 Pa时,通过改变基底温度,制......
采用直流热阴极CVD法以B(OCH3)3为掺杂剂制备了硼掺杂金刚石薄膜,利用等离子体发射光谱、SEM、Raman和XRD研究了硼掺杂对金刚石薄......
采用直流热阴极等离子体化学气相沉积（直流热阴极PCVD）法，以硼酸三甲酯为硼源，通过金刚石膜的间歇式生长过程，制备硼掺杂纳米金刚石膜，研......
采用直流热阴极等离子体化学气相沉积（PCVD）法间歇生长模式，在（100）硅片上、CH4＋N2＋H2气氛下生长了氮化碳薄膜。薄膜样品用XRD、SEM和Rama......
为了获得高质量的金刚石薄膜,采用直流热阴极化学气相沉积系统分别在不同基片温度和不同碳源气体含量条件下生长金刚石薄膜,利用Ra......
采用直流热阴极CVD法以B（OCH3）3为掺杂剂制备了硼掺杂金刚石薄膜,利用等离子体发射光谱、SEM、Ram an和XRD研究了硼掺杂对金刚石薄膜......
采用直流热阴极等离子体化学气相沉积（PCVD）技术,在CH4,H2流量分别为6sccm和200sccm,反应室气压为6×103 Pa时,通过改变基底温度......
采用直流热阴极CVD方法，以液态硼酸三甲酯为硼源，在P型（100）硅基片上制备了掺硼金刚石（BDD）膜。利用扫描电子显微镜（SEM）、激光拉曼光谱仪......
采用直流热阴极PCVD（Plasma chemical vapor deposition）法间歇生长模式制备金刚石膜,通过加入周期性的刻蚀阶段清除金刚石膜在一定......
<正> 随着大功率电子、光电子、微波器件以及超大规模IC技术的飞速发展,急需新的热沉材料,用高导热高绝缘金刚石膜代替目前常用的......
采用直流热阴极等离子体化学气相沉积（直流热阴极PCVD）法，以硼酸三甲酯为硼源，通过金刚石膜的间歇式生长过程，制备硼掺杂纳米金刚石膜，研......
建立和发展了非脉冲式的直流热阴极PCVD(Plasma Chemical Vapour Deposition)方法.通过采用温度为1100℃～1500℃的热阴极以及阴极和......
采用直流热阴极等离子体化学气相沉积(直流热阴极PCVD)方法,通过金刚石膜的间歇生长过程,引入氮原子的作用,实现对非金刚石成份的......
