【摘 要】
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围绕纳米金刚石膜生长的二次形核理论,利用直流热阴极PCVD技术,在微晶金刚石膜连续生长模式常用的一些生长条件下,通过改变工作气压,改变生长温度,同时采取人工干预间歇生长
【机 构】
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牡丹江师范学院新型炭基功能与超硬材料省重点实验室,
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围绕纳米金刚石膜生长的二次形核理论,利用直流热阴极PCVD技术,在微晶金刚石膜连续生长模式常用的一些生长条件下,通过改变工作气压,改变生长温度,同时采取人工干预间歇生长模式进行金刚石膜生长实验,探索纳米级金刚石膜制备的新途径。实验表明:在金刚石膜生成的过程中,降低工作气压或生长温度,可使等离子体激励能量减弱,导致二次形核基团比例增加,成为人工干预二次形核的内在诱因;通过调节激励电压,使等离子体能量状况改变,有利于二次形核行为的引导,成为人工干预二次形核的外在诱因,在此内外因素共同作用下,可以实现二次形核现象的有效诱导,制备出纳米金刚石膜。人工干预诱导二次形核技术制备纳米金刚石膜的实现,使纳米金刚石膜制作方法得到了扩展,也拓宽了直流热阴极PCVD技术的应用范围。
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