电致阻变相关论文
半导体技术的不断进步、信息工业的持续发展和人类对计算机性能的无止境需求推动着随机存储器（random access memory, RAM）技术不断......
电子相分离是在过渡金属氧化物中常见的一种现象,它是体系内部各种序结构在能量相差不大时竞争与共存的结果.电子相分离并不伴随化......
近年来,因人工设计的异质结在磁存储、传感器和自旋电子学领域的潜在应用和有趣的物理现象成为凝聚态领域的研究热点[1],同时具备......
电致阻变[1]和磁电阻效应[2]均可应用于随机存储器领域。若能在一个器件中同时实现电致阻变和磁电阻效应，将有可能通过电场和磁场两......
非晶薄膜在原子尺度上更加均匀,可以使RRAM性能更稳定,YFe0.5Cr0.5O3-X的结晶温度高达1150℃,能在高温条件下制备出非晶薄膜,使其......
BiFeO3薄膜是一种窄带隙半导体，并且在居里温度以下还具有自发极化，这两方面的原因使得BiFeO3薄膜对可见光具有高敏和快速响应并且能......
为了满足飞速发展的信息科技对存储器低功耗，高密度等要求，具有非易失性的电阻式随机存储器(Resistive RAM，简称RRAM)以其结构简单、......
自旋忆阻器件兼具电致阻变和磁电阻效应,可以实现多个电阻态,在多态非易失性存储器和人工神经网络等技术中具有广阔的应用前景,因......
电子同时具有电荷和自旋两种属性，以电场操纵电荷属性来调制其导电行为的半导体电子学，在上世纪已经得到了飞跃的发展，摩尔定律告诉我......
本文基于单根ZnO纳米线(NW),采用一步掩膜的方法制备了Au/ZnO NW/Au忆阻器。器件表现出无极性忆阻行为,开关比可达10~5以上。低阻......
该文分析了不同的类型的金属顶电极对TiO2薄膜电致阻变效应的影响,通过对器件I-V曲线的分析,发现器件/Pt具有稳定的电致阻变性质,......
介绍了阻变存储器及其I-V特性的测试分析方法。通过测量三明治结构的阻变存储器的I-V特性,采用多种拟合方法,与导电机制原理对比,......
离子电子学主要通过离子的迁移和重排来实现材料的电学性质及其功能化,从而在信息存储、神经突触模拟与仿生和智能显示等诸多领域......
本文基于单根ZnO纳米线（NW），采用一步掩膜的方法制备了Au／ZnONW／Au忆阻器。器件表现出无极性忆阻行为，开关比可达10^5以上。低阻态具有半......
随着信息技术的快速发展,大数据、云存储等新概念不断兴起,人类对芯片提出了高速度、低功耗、高集成度的要求。在过去50年中,通过......
本论文采用溶胶凝胶法制备了TiO2薄膜,研究Pt/TiO2/Pt器件的电致阻变性质,并结合I-V特性曲线分析器件内部的阻变机制,器件高低阻态......
近二十年来,集成铁电存储器倍受关注。早期广泛研究的存储材料是钙钛矿结构的Pb(Zr,Ti)O3(PZT)薄膜。然而PZT薄膜的疲劳问题严重,......
随着光电器件朝着微小型化、低功耗、集成化及智能化飞速发展，高性能光电材料与器件集成化技术成为当前热点之一。氧化钒由于其独特......
随着现代信息技术的快速发展,大规模集成电路元件的尺寸越来越小,逐渐达到纳米量级,传统的电子工艺已经不能满足信息技术超高速、......
为了满足飞速发展的信息科技对存储器低功耗,高密度等要求,具有非易失性的电阻式随机存储器(Resistive RAM,简称RRAM)以其结构简单......
